品牌：DIODES INC.,
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 9.1 V, 3 W, DO-214AA, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
小信号肖特基二极管, 双系列, 30 V, 100 mA, 1 V, 600 mA, 125 °C
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 215 MHz, 385 mW, 1 A, 450 hFE
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 2.6 A, -30 V, 110 mohm, 10 V, -1 V
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 2.7 V, 500 mW, SOD-123, 7 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 220 hFE
(EN)
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双路场效应管, MOSFET, 增强模式, N和P沟道, 3.1 A, 30 V, 0.12 ohm, 10 V, -1 V
(EN)
DIODES INC.
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 750 mA, 490 mV, 5.5 A, 150 °C
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, 高增益, NPN, 12 V, 260 MHz, 350 mW, 5 A, 800 hFE
(EN)DIODES INC.
小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 100 mA, 1 V, 600 mA, 125 °C
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 600 mW, 500 mA, 220 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 140 MHz, 1.6 W, 7 A, 200 hFE
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 11.6 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.5 V
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单晶体管 双极, POWERDI?5, NPN, 100 V, 130 MHz, 3.2 W, 6 A, 230 hFE
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肖特基整流器, POWERDI?, 单, 100 V, 1 A, PowerDI 123, 2 引脚, 770 mV
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晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
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单管二极管 齐纳, 15 V, 500 mW, SOD-123, 6 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.1 A, -60 V, 400 mohm, -10 V, -3 V
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DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 1 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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DIODES INC.
肖特基整流器, 单, 40 V, 2 A, DO-214AA, 2 引脚, 500 mV
(EN)
