DIODES INC.

单晶体管 双极, NPN, 30 V, 270 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE

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单管二极管 齐纳, 4.7 V, 200 mW, SOD-323, 6 %, 2 引脚, 150 °C

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单管二极管 齐纳, 2.4 V, 200 mW, SOD-323, 8 %, 2 引脚, 150 °C

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单管二极管 齐纳, 5.1 V, 250 mW, DFN1006, 6 %, 2 引脚, 150 °C

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单管二极管 齐纳, 12 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C

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肖特基整流器, 单, 20 V, 2 A, PowerDI 123, 2 引脚, 420 mV

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单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 170 MHz, 1 W, 500 mA, 10000 hFE

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单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 1 W, 800 mA, 10000 hFE

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单晶体管 双极, PNP, -30 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 600 hFE

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双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.012 ohm, 10 V, 1.6 V

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单晶体管 双极, NPN, 20 V, 140 MHz, 1 W, 3.5 A, 450 hFE

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双极晶体管阵列, NPN, 160 V, 300 mW, 200 mA, 80 hFE, SOT-26

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单管二极管 齐纳, 6.2 V, 500 mW, SOD-123, 6 %, 2 引脚, 150 °C

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单晶体管 双极, NPN, 150 V, 100 MHz, 500 mW, 1 A, 100 hFE

DIODES INC.

单管二极管 齐纳, 12 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C

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晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 20 V, 40 mohm, 4.5 V, 700 mV

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晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V

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小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 15 mA, 900 mV, 50 mA, 125 °C

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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 2.4 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C

DIODES INC.

单晶体管 双极, NPN, 300 V, 75 MHz, 500 mW, 500 mA, 100 hFE

DIODES INC.

单管二极管 齐纳, 排列, 5.1 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C

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晶体管, MOSFET, N沟道, 1.1 A, 30 V, 240 mohm, 10 V, 3 V

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二极管 小信号, 单, 100 V, 400 mA, 1.25 V, 50 ns, 2.5 A

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肖特基整流器, POWERDI?, 单, 200 V, 3 A, PowerDI 5, 2 引脚, 780 mV

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单晶体管 双极, NPN, 20 V, 150 MHz, 2 W, 3 A, 500 hFE