规格：晶体管极性 双N沟道,
ON SEMICONDUCTOR
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 630 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 920 mV
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 130 A, 2.1 V, 600 V, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 200 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 60 V, 0.033 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 250 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 800 mV
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 311 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.082 ohm, 10 V, 1.8 V
(EN)INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 20 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 115 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 265 A, 1.45 V, 600 V, Module
(EN)INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 11 A, 30 V, 0.0137 ohm, 10 V, 1.8 V
(EN)SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 422 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 159 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 195 A, 1.45 V, 600 V, Module
(EN)SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module
(EN)SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 223 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
