品牌：DIODES INC.,规格：功耗 Pd 625mW,
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -700 mA, -100 V, 1 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 270 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 270 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 100 V, 10 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 160 V, 155 MHz, 625 mW, 1 A, 450 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 160 MHz, 625 mW, 1.5 A, 300 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 190 MHz, 625 mW, -1.5 A, 475 hFE
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 220 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 20 V, 180 mohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 270 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 140 MHz, 625 mW, 2 A, 450 hFE
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 160 mA, -60 V, 14 ohm, -10 V, -3.5 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 350 mohm, 10 V, -1 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 200 MHz, 625 mW, -1 A, 300 hFE
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 900 mA, -20 V, 600 mohm, 4.5 V, -700 mV
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 20 V, 180 MHz, 625 mW, -1.5 A, 475 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 140 MHz, 625 mW, 2.5 A, 450 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 140 MHz, 625 mW, 800 mA, 60000 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 15 V, 120 MHz, 625 mW, 3 A, 450 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 12 V, 110 MHz, 625 mW, -2.5 A, 475 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -70 V, 200 MHz, 625 mW, -1.5 A, 300 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 450 V, 50 MHz, 625 mW, 150 mA, 120 hFE
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 640 mA, 100 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.1 A, -60 V, 400 mohm, -10 V, -3 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 140 MHz, 625 mW, 900 mA, 60000 hFE
(EN)
