品牌：VISHAY,规格：功耗 Pd 5W,
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -8 A, -30 V, 24 mohm, -10 V, -3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 11.5 mohm, 10 V, 1.8 V
(EN)
VISHAY
晶体管, N沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -60 V, 0.079 ohm, -10 V, -2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.8 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 4.7A, SOIC
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 4.8A, SOIC
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.003 ohm, 10 V, 1.2 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, 30V, 11.4A
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 19.3A, SOIC-8
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
(EN)VISHAY
场效应管, P通道, MOSFET, -40V, 40A
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 5400 μohm, 10 V, 1.2 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 80V, 30A, SOIC
(EN)
VISHAY
N CHANNEL MOSFET, 25V, 50A, SOIC
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -13.4 A, -20 V, 0.0125 ohm, -4.5 V, -400 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 20 V, 0.0023 ohm, 20 V, 2.6 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 50A, SOIC
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -11.4 A, -30 V, 0.0195 ohm, -10 V, -3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.9 A, 30 V, 20 mohm, 10 V, 1 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 2600 μohm, 10 V, 1.2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.8 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 25 V, 7.1 mohm, 10 V, 600 mV
(EN)
