DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 350 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
DIODES INC.
单晶体管 双极, 高增益, PNP, 20 V, 290 MHz, 350 mW, 4 A, 450 hFE
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 27 V, 350 mW, SOT-23, 7 %, 3 引脚, 150 °C
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 350 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
MULTICOMP
齐纳二极管, 16V, 350mW, SOT-23
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -20 V, 75 mohm, -4.5 V, -600 mV
NEXPERIA
双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双PNP, -45 V, 350 mW, -100 mA, 200 hFE, DFN1010B
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 1 V
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 36 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 350 mW, -600 mA, 50 hFE
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 60 V, 150 MHz, 350 mW, 1 A, 100 hFE
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 350 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
射频双极晶体管
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -30 V, 125 MHz, 350 mW, -1.2 A, 10000 hFE
VISHAY
齐纳二极管, 5.6V, 350mW, SOT-23
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 7.5 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 7.5 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 350 mW, SOT-23, 7 %, 3 引脚, 150 °C
MULTICOMP
齐纳二极管, 3.9V, 350mW, SOT-23