规格：功耗 Pd 3.7W,
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.024 ohm, 10 V, 1.2 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60V, SOIC
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 3.8 A, -200 V, 0.86 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 60 V, 0.033 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, D2-PAK
(EN)
VISHAY
场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 6.8A, D2-PAKT
(EN)
VISHAY
晶体管, P沟道
(EN)VISHAY
场效应管, N通道, MOSFET, 100V, 14A, D2-PAK
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 40 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -40 V, 0.021 ohm, -4.5 V, -3 V
(EN)
VISHAY
MOSFET, P CHANNEL, -40V, -18A, POWERPAK 1212-8
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -35V, 35A, 整卷
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 1.7 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 12.1 A, 30 V, 0.0115 ohm, 10 V, 1 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 60 V, 0.033 mohm, 10 V, 2.4 V
(EN)
