规格：功耗 Pd 5.2W,
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 28A, SOIC
(EN)VISHAY
晶体管, N沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 18.2 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 150 V, 0.036 ohm, 10 V, 4.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 20 V, 4 mohm, 10 V, 1.2 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 整卷
(EN)
