品牌：INFINEON,规格：功耗 Pd 200mW,
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 mA, 8 V
(EN)
INFINEON
晶体管, 射频FET, 8 V, 40 mA, 200 mW, SOT-143
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 8 V
(EN)INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 4 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, 180 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 20 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 12 V
(EN)
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE
(EN)INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.7 V
(EN)
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 22 GHz, 200 mW, 50 mA, 90 hFE
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 12 V
(EN)INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE
(EN)INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 22 GHz, 200 mW, 50 mA, 90 hFE
(EN)
