规格：功耗 Pd 3.9W,
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 6.4 A, -40 V, 60 mohm, 10 V, -1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 7 A, 40 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 70 V, 130 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 20A, SOIC
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 60 V, 140 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 600 mohm, 10 V, 4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 3.7 A, -70 V, 160 mohm, 10 V, -1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 6.9 A, 60 V, 45 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 35.6 A, 30 V, 0.0105 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 600 mohm, 10 V, 4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 7 A, 40 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 6.9 A, 60 V, 45 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 60 V, 140 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
