品牌：VISHAY,规格：功耗 Pd 1.8W,
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.3 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 5.7A, TRENCHFET-4
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 19A, SOIC
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 10.3A, SOIC-8, 整卷
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 30 V, 0.034 ohm, 4.5 V, 400 mV
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 30 V, 0.034 ohm, 4.5 V, 400 mV
(EN)VISHAY
晶体管, N沟道
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.3 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N通道, 60V, 10.3A, SOIC, 整卷
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
