规格：功耗 Pd 4.2W,
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -9A, -30V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -20 V, 0.02 ohm, -4.5 V, -1.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -9 A, -30 V, 0.026 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -7.2 A, -40 V, 0.036 ohm, -10 V, -1.2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1.15 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -12 V, 0.016 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.016 ohm, -10 V, -3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.016 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 27 mohm, -10 V, -3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 27 mohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -9 A, -30 V, 0.026 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -7.2 A, -40 V, 0.036 ohm, -10 V, -1.2 V
(EN)
