品牌：INFINEON,规格：工作温度最高值 150°C,
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 700 A, 1.55 V, 1.8 kW, 650 V, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 950 A, 1.75 V, 3.35 kW, 1.2 kV, Module
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INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 40A, PQFN-8
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 240 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 600 A, 1.75 V, 3.35 kW, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.39 kA, 2 V, 6.25 kW, 1.7 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1 kA, 2.55 V, 3.3 kV, Module
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 3 A, 2.8 V, 29 W, 1.2 kV, TO-220, 3 引脚
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET晶体管, 整卷
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET晶体管, 整卷
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 440 A, 1.95 V, 1.8 kW, 1.7 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.5 kA, 2.55 V, 17 kW, 3.3 kV, Module
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 900MA, TSOP, 整卷
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 30 V, 0.03 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
INFINEON
晶体管, 双路, N通道, 场效应管, MOSFET, 20V, 微型8, 整卷
(EN)
INFINEON
场效应管, P通道, MOSFET, -30V, -16A, SOIC, 整卷
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 5.3A, SOT-23, 整卷
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -3.6 A, SOT-23, 整卷
(EN)
INFINEON
场效应管, N通道, MOSFET, 20V, 6.5A, MICRO-6, 整卷
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V
(EN)INFINEON
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 27A, PQF
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 74 A, 25 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)
