品牌：INFINEON,规格：工作温度最高值 150°C,
INFINEON
晶体管, IGBT, 1.9V, 70A, TO-247AC-3
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.3 A, -20 V, 250 mohm, -10 V, -3 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.1 A, 550 V, 0.47 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
软恢复 二极管
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, HEXFET, 30V, 8.2A, TSOP-6
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 14A, TO-204AA
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 37 A, 1.55 V, 115 W, 600 V, Module
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 45 A, 1.55 V, 150 W, 600 V, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 485 A, 1.55 V, 1.25 kW, 650 V, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT模块, SIP1
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 65 A, 1.45 V, 175 W, 600 V, Module
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 650 V, 0.59 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 320 A, 1.85 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.45 V, 335 W, 600 V, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.45 V, 335 W, 600 V, Module
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 20 V, 6 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 4.5 V, 1.6 V
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 995 A, 1.75 V, 4.05 kW, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 340 A, 1.95 V, 1.5 kW, 1.7 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 560 A, 1.55 V, 1.45 kW, 650 V, Module
(EN)
