品牌：INFINEON,规格：工作温度最高值 150°C,
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 100A, 60V, 3.6W
(EN)
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, 150 hFE
(EN)INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16.1 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.0462 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, 50 hFE
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3A, 100V SOIC-8
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道, -700mA, -150V, 8-SOIC
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 500 V, 2.7 ohm, 13 V, 3 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 2W, 6-TSOP
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 30A, PQFN-8
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 2.8 mohm, 4.5 V, 800 mV
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0063 ohm, -10 V, -1.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 2.1 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道 通道, 20V, 211A, DIRECTFET
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 4 A, -20 V, 0.0471 ohm, 4.5 V, -1.2 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, -1.4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 100 V, 62 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
场效应管阵列, MOSFET, 双P沟道, -30V, -2.3A, 6-PQFN
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 14.1 A, 500 V, 0.34 ohm, 13 V, 3 V
(EN)
