品牌：INFINEON,规格：工作温度最高值 150°C,
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 500 V, 1.85 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 12A, TO-204AA
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 25 A, 1.85 V, 160 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 900 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 40 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 55 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.4 A, 30 V, 0.046 ohm, 4.5 V, 800 mV
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, 整卷
(EN)
INFINEON
场效应管, N通道, MOSFET, 30V, 3.4A, 3-SOT-23, 整卷
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.55 V, 600 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 2.4 kA, 1.9 V, 15.5 kW, 1.7 kV, Module
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 150 V, 280 mohm, 10 V, 5.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, 70 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 22 GHz, 200 mW, 50 mA, 90 hFE
(EN)INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 6 V, 14 GHz, 380 mW, 80 mA, 90 hFE
(EN)INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 6 V, 14 GHz, 60 mW, 10 mA, 90 hFE
(EN)
INFINEON
小信号肖特基二极管, 双隔离, 25 V, 100 mA, 950 mV, 500 mA, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 2.5 GHz, 280 mW, 25 mA, 20 hFE
(EN)
INFINEON
可变电容二极管, AEC-Q101, 13.5 pF, 50 mA, 12 V, 150 °C, SOT-323, 3引脚
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2.2 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 34 V, 0.01 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
