品牌：INFINEON,规格：工作温度最高值 150°C,
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 91 A, 30 V, 0.0069 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 41 A, 2.43 V, 160 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 42 A, 2.6 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 3.6 mohm, 10 V, 2.35 V
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT, 1.9V, 50A, TO-247AC-3
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.45 V, 275 W, 600 V, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 13 A, -100 V, 205 mohm, -10 V, -4 V
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 20 A, 3.1 V, 100 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 22 A, 1.55 V, 81 W, 600 V, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 27 A, 1.55 V, 94 W, 600 V, Module
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 60 A, 1.68 V, 160 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 28 A, 1.85 V, 130 W, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 108 A, 1.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 65 A, 1.85 V, 225 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 67 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 39 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道, 10A
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 200 V, 2 ohm, 10 V, 1.4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 55 A, 2.4 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 20 A, 1.85 V, 105 W, 1.2 kV, Module
(EN)
