品牌：DIODES INC.,规格：MSL MSL 1 -无限制,
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 20 V, 180 MHz, 625 mW, -1.5 A, 475 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 65 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 180 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 80 V, 150 MHz, 1 W, 500 mA, 100 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 50 MHz, 2 W, 300 mA, 100 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 25 V, 240 MHz, 2 W, 3 A, 200 hFE
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.1 A, 60 V, 450 mohm, 10 V, 3 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 230 mA, -100 V, 8 ohm, -10 V, -3.5 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 140 MHz, 625 mW, 2.5 A, 450 hFE
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 240 V, 6 ohm, 10 V, 1.3 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 200 mA, -240 V, 15 ohm, -10 V, -1.4 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 150 MHz, 500 mW, -1 A, 300 hFE
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 9.8 A, 20 V, 11 mohm, 4.5 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双路N和P通道, 6 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 2 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 2 A, 60 V, 0.15 ohm, 5 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 120 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 800 mA, 100 V, 1.5 ohm, 10 V, 800 mV
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 170 MHz, 2 W, 1 A, 20000 hFE
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 100 V, 650 mohm, 10 V, 3 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 75 mA, -100 V, 20 ohm, -10 V, -3.5 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 120 V, 150 MHz, 2 W, 1.5 A, 5000 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 140 MHz, 625 mW, 800 mA, 60000 hFE
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.4 A, 100 V, 125 mohm, 10 V, 4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 2.4 A, 20 V, 100 mohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 310 mW, -500 mA, 250 hFE
(EN)
