品牌：DIODES INC.,规格：MSL MSL 1 -无限制,
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.3 A, -40 V, 0.026 ohm, -10 V, -2.2 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 40 V, 0.0092 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -150 V, 300 MHz, 200 mW, -200 mA, 60 hFE
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 4 A, -30 V, 70 mohm, 10 V, -800 mV
(EN)DIODES INC.
双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 40 V, 200 mW, 600 mA, 100 hFE, SOT-363
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 30 V, 80 MHz, 3 W, 7 A, 200 hFE
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2 A, 20 V, 0.08 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.2 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N和P, 1.03 A, 20 V, 0.3 ohm, 5 V, 900 mV
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 60 V, 120 MHz, 3 W, -5 A, 200 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 215 MHz, 1.25 W, 4.5 A, 450 hFE
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -26 A, -60 V, 0.036 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 35.8 A, 30 V, 0.0011 ohm, 10 V, 3 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.00125 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 40 V, 0.015 ohm, 10 V, 3 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, P沟道, -5.2 A, -60 V, 0.034 ohm, -10 V, -3 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 13.5 ohm, 10 V, 2 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 40 V, 0.0092 ohm, 10 V, 3 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 140 V, 150 MHz, 2 W, 2 A, 15000 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 100 MHz, 1 W, 1 A, 100 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 300 V, 80 MHz, 3 W, 3.5 A, 200 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 115 MHz, 1.1 W, 4 A, 450 hFE
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 低电压, P沟道, 1.6 A, -30 V, 210 mohm, 10 V, -1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 60 mA, 200 V, 25 ohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 75 V, 140 MHz, 2.5 W, 4.5 A, 450 hFE
(EN)
