品牌：DIODES INC.,规格：MSL MSL 1 -无限制,
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 330 hFE
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 4.2 A, 20 V, 0.09 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -6.9 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, 1.7 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 150 MHz, 500 mW, 1 A, 300 hFE
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 60 V, 400 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 150 MHz, 1 W, -1 A, 160 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 130 MHz, 3 W, 6 A, 200 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 100 V, 125 MHz, 3 W, -5 A, 200 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 1 W, 500 mA, 40 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 300 mW, -600 mA, 100 hFE
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 305 mA, 50 V, 2 ohm, 5 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双N沟道, 280 mA, 50 V, 2 ohm, 5 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.6 A, -20 V, 0.029 ohm, -4.5 V, 960 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 70 V, 130 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 200 MHz, 1.25 W, 4 A, 450 hFE
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 115 mA, 60 V, 13.5 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 12 V, 170 MHz, 900 mW, 1 A, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -600 mA, -20 V, 0.7 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 270 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 170 MHz, 1 W, 500 mA, 10000 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 1 W, 800 mA, 10000 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 600 hFE
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.012 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)DIODES INC.
双极晶体管阵列, NPN, 160 V, 300 mW, 200 mA, 80 hFE, SOT-26
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 100 MHz, 500 mW, 1 A, 100 hFE
(EN)
