品牌：DIODES INC.,规格：MSL MSL 1 -无限制,
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 MHz, 300 mW, -200 mA, 100 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 300 mW, 200 mA, 100 hFE
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -700 mA, -100 V, 1 ohm, -10 V, -4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 1.4 ohm, 10 V, 1.2 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 13.5 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -3.6 A, -20 V, 0.023 ohm, -4.5 V, -700 mV
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 175 MHz, 2 W, 3 A, 200 hFE
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.2 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, 5.2 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -0.55 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 300 mW, 600 mA, 100 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 300 V, 75 MHz, 500 mW, 500 mA, 100 hFE
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 1.4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 3.8 A, -30 V, 56 mohm, -10 V, -1.8 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 31 mohm, -4.5 V, -550 mV
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -60 V, 125 mohm, -10 V, -3 V
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, 通用, PNP, 45 V, 150 MHz, 1 W, -1 A, 100 hFE
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 30 V, 24 mohm, 10 V, 1.5 V
(EN)DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
(EN)DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
(EN)DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
(EN)DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)
DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 20 V, 0.175 ohm, 4.5 V, 950 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -280 mA, -60 V, 4 ohm, -10 V, -3.5 V
(EN)
