规格：电流, Id 连续 5.6A,
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 5.6 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 650 V, 0.755 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8W, 8-1212
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 5.6 A, -60 V, 500 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 5.6 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 5.6 A, -8 V, 42 mohm, -4.5 V, -1 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 5.6A, POWERPAK 1212, 整卷
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 5.6 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 1 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
