规格：存取时间 70ns,
AMIC
闪存, 4 Mbit, 512K x 8位 / 256K x 16位, TSOP, 48 引脚
(EN)
CYPRESS SEMICONDUCTOR
闪存, 1 Mbit, 128K x 8位, CFI, 并行, LCC, 32 引脚
(EN)
CYPRESS SEMICONDUCTOR
SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 4.5V to 5.5V, SOIC, 28 Pins, 70 ns
(EN)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS
非易失随机存储器 (NVRAM), SRAM, 1 Mbit, 128K x 8位, 70 ns, EDIP
(EN)
MICRON
闪存, 或非, 128 Mbit, 8M x 16位, 并行, TSOP, 56 引脚
(EN)MICRON
闪存, 或非, 64 Mbit, 4M x 16位, 40 MHz, 并行, TSOP, 56 引脚
(EN)MICRON
闪存, 或非, 64 Mbit, 4M x 16位, 40 MHz, 并行, TSOP, 56 引脚
(EN)MICRON
闪存, 引导块, 32 Mbit, 2M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
(EN)MICRON
闪存, 引导块, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
(EN)MICRON
闪存, 引导块, 16 Mbit, 2M x 8位 / 1M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
(EN)MICRON
闪存, 引导块, 非, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
(EN)
MICRON
闪存, 引导块, 非, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TFBGA, 48 引脚
(EN)MICRON
闪存, 引导块, 非, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TFBGA, 48 引脚
(EN)MICRON
闪存, 引导块, 64 Mbit, 8M x 8位 / 4M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
(EN)MICRON
闪存, 引导块, 非, 8 Mbit, 1M x 8位 / 512K x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
(EN)MICRON
闪存, 引导块, 8 Mbit, 1M x 8位 / 512K x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
(EN)
ROHM
芯片, FERAM, 256K, 28TSOP
(EN)
CYPRESS SEMICONDUCTOR
闪存, 16 Mbit, 2M x 8位 / 1M x 16位, CFI, FBGA, 48 引脚
(EN)CYPRESS SEMICONDUCTOR
闪存, 16 Mbit, 2M x 8位 / 1M x 16位, CFI, TSOP, 48 引脚
(EN)CYPRESS SEMICONDUCTOR
闪存, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, TSOP, 48 引脚
(EN)
