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单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -60 V, 150 MHz, 325 mW, -1.7 A, 30 hFE
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
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双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -500 mA, -20 V, 1.02 ohm, -4.5 V, -700 mV
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单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 325 mW, 2 A, 40 hFE
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单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -30 V, 170 MHz, 325 mW, -1 A, 130 hFE
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单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 325 mW, 1 A, 85 hFE
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单晶体管 双极, NPN, PNP, -60 V, 150 MHz, 480 mW, -1.5 A, 285 hFE
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晶体管, MOSFET, 沟槽式, P沟道, -3.7 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -650 mV
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双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双PNP
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双极性晶体管阵列, 双路NPN, 45V, 500mA, 6-SOT-457
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单晶体管 双极, NPN, PNP, 30 V, 165 MHz, 2 W, 1 A, 180 hFE
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单晶体管 双极, 双PNP, -60 V, 125 MHz, 2 W, -1 A, 70 hFE
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达林顿晶体管, NPN, 45V, 1A, 3-SOT-89
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单晶体管 双极, PNP, -50 V, 200 MHz, 250 mW, -200 mA, 210 hFE
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晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 80 V, 0.0073 ohm, 10 V, 3 V
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晶体管, MOSFET, 沟槽式, P沟道, -5.2 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -680 mV
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单晶体管 双极, PNP, -30 V, 80 MHz, 2.1 W, -6 A, 345 hFE
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单晶体管 双极, PNP, -30 V, 104 MHz, 480 mW, -2.7 A, 350 hFE
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单晶体管 双极, NPN, 60 V, 140 MHz, 1.5 W, 10 A, 50 hFE
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率