BROADCOM LIMITED
晶体管, 射频FET, 高线性度, 3 V, 40 mA, 180 mW, 1.5 GHz, 18 GHz, SOT-363
晶体管, 射频FET, 5 V, 100 mA, 270 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343
晶体管, 射频FET, 5 V, 120 mA, 725 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343
晶体管, 射频FET, 高线性度, 7 V, 500 mA, 1.5 W, 50 MHz, 6 GHz, SOT-89
晶体管, 射频FET, 5.5 V, 65 mA, 725 mW, 450 MHz, 10 GHz, SOT-343
晶体管, 射频FET, 高线性度, 7 V, 1 A, 2.25 W, 400 MHz, 3.9 GHz, SOT-89
晶体管, 射频FET, 硅, 3 V, 500 mA, 500 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343
晶体管, 射频FET, 高线性度, 5.5 V, 305 mA, 600 mW, 450 MHz, 10 GHz, SOT-343
晶体管, 射频FET, Vixen 低噪, 5 V, 100 mA, 300 mW, 500 MHz, 18 GHz, SMD
晶体管, 射频FET, 高线性度, 7 V, 300 mA, 1 W, 50 MHz, 6 GHz, SOT-89
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 10 GHz, 225 mW, 50 mA, 150 hFE
晶体管, 射频FET, 5 V, 50 mA, 250 mW, 500 MHz, 26.5 GHz, 0402 [公制 1005]
芯片, 射频放大器 PHEMT SOT-363
芯片, 硅射频放大器 SOT-363
隔离放大器, 精准微型, 1个放大器, 0.6 mV, 5 kV, 3V 至 5.5V, 4.5V 至 5.5V, WSOIC, 8 引脚
芯片, 低噪放大器, GaAs
射频放大器芯片, 22 dB增益 / 0.9 dB噪音, 100 MHz至3 GHz, 3 V至5 V电源, SOT-363-6
隔离放大器, 光学, 1个放大器, 0.3 mV, 3.75 kV, 4.5V 至 5.5V, DIP, 8 引脚
射频芯片, 增益放大器, InGaP, HBT, 3SOT89
(EN)
