品牌：ROHM,规格：针脚数 3引脚,
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.055 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 0.8 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 4 V
(EN)ROHM
小信号肖特基二极管, 通用, 单, 25 V, 700 mA, 490 mV, 3 A, 125 °C
(EN)ROHM
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 40 V, 30 mA, 370 mV, 200 mA, 125 °C
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 48 A, 1.65 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -30 V, 0.032 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 45 V, 0.13 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
ROHM
Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 21 A, 650 V, 0.12 ohm, 18 V, 5.6 V
(EN)ROHM
小信号肖特基二极管, 单, 25 V, 1 A, 450 mV, 3 A, 125 °C
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 30 V, 0.8 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 58 A, 1.6 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 650 V, 0.12 ohm, 18 V, 4 V
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 40 A, 1.6 V, 144 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 70 A, 1.65 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 58 A, 1.6 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 65 V, 30 A, 双共阴极, TO-263, 3 引脚, 690 mV
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 40 A, 1.65 V, 144 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管 双极, PNP, -120 V, 140 MHz, 200 mW, -50 mA, 180 hFE
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
