规格：在电阻RDS（上） 750mohm,
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
SEMELAB
晶体管, MOSFET, P沟道, 16 A, -160 V, 750 mohm, -1.5 V
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 4 V
(EN)SEMELAB
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 160 V, 750 mohm, 1.5 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 170W, D2-PAK
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 20 A, 1.2 kV, 750 mohm, 10 V, 4.5 V
(EN)
