规格：在电阻RDS（上） 6mohm,
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1.15 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 105 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 2.25 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 130A, D2-PAK
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 230 A, 100 V, 6 mohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 20 V, 6 mohm, 10 V, 3 V
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 200 A, 70 V, 6 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 6 mohm, 10 V, 2.3 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N通道, 40V, 27.2A, SOIC, 整卷
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1.15 V
(EN)
