规格：在电阻RDS（上） 31mohm,
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 31 mohm, -4.5 V, -550 mV
(EN)
VISHAY
场效应管, P通道, MOSFET
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 30 V, 31 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 31 mohm, -4.5 V, -550 mV
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 30 V, 31 mohm, 10 V, 1 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8A, 20V, 2W
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N通道, 60V, 10.3A, SOIC, 整卷
(EN)
