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• 制造商产品编号
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• 制造商 / 说明 / 规格书
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• SIS412DN-T1-GE3
  
• 1779238

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 20 mohm, 10 V, 1 V

  (EN)
  品牌：VISHAY,规格：在电阻RDS（上） 20Mohm,
• 搜索

• SI4410BDY-T1-GE3
  
• 1871905

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, N沟道, 10A, 30V, 2.5W

  (EN)
  品牌：VISHAY,规格：在电阻RDS（上） 20Mohm,
• 搜索

• SI4463BDY-T1-GE3
  
• 1871351

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 13.7A, SOIC

  (EN)
  品牌：VISHAY,规格：在电阻RDS（上） 20Mohm,
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• SI4128DY-T1-GE3
  
• 1779237

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.9 A, 30 V, 20 mohm, 10 V, 1 V

  (EN)
  品牌：VISHAY,规格：在电阻RDS（上） 20Mohm,
• 搜索

• SI4410BDY-T1-E3
  
• 1794995

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, N沟道, 10A, 30V, 2.5W

  (EN)
  品牌：VISHAY,规格：在电阻RDS（上） 20Mohm,
• 搜索

• SI4410BDY-T1-E3
  
• 1885179

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, N沟道, 整卷

  (EN)
  品牌：VISHAY,规格：在电阻RDS（上） 20Mohm,
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• SI5406DC-T1-GE3
  
• 1871367

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, N沟道, 12V, 9.5A

  (EN)
  品牌：VISHAY,规格：在电阻RDS（上） 20Mohm,
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