规格：在电阻RDS（上） 3.9Mohm,
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 3.9 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -1.8 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -29 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 80 V, 3.9 mohm, 10 V, 2.8 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -20A, SOIC
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 25 V, 3.9 mohm, 8 V, 1.1 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 29A, SOIC, 整卷
(EN)INFINEON
场效应管, P通道, MOSFET, -30V, -20A, SOIC, 整卷
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 3.9 mohm, 20 V, 4 V
(EN)
RENESAS
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 3.9 mohm, 10 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -29 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
