DIODES INC.
二极管阵列 齐纳, 双路, 3.3 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
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晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
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二极管阵列 齐纳, 双路, 5.6 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
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快速/超快二极管, 60 V, 1.6 A, 单, 740 mV, 16 ns, 15 A
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二极管阵列 齐纳, 双路, 12 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
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二极管阵列 齐纳, 双路, 5.1 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
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二极管阵列 齐纳, 双路, 12 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
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二极管阵列 齐纳, 双路, 3.3 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
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二极管阵列 齐纳, 双路, 4.7 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
DIODES INC.
二极管阵列 齐纳, 双路, 4.7 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
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二极管阵列 齐纳, 双路, 5.1 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
DIODES INC.
二极管阵列 齐纳, 双路, 5.6 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
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快速/超快二极管, 单, 60 V, 1.6 A, 740 mV, 16 ns, 15 A
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霍尔效应开关, 单极性, 100 G, 80 G, 3 V, 28 V, SOT-23
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霍尔效应开关, 单极性, 115 G, 90 G, 3 V, 28 V, SOT-23
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霍尔效应开关, 单极性, 150 G, 125 G, 3 V, 28 V, SOT-23
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霍尔效应开关, 单极性, 100 G, 85 G, 3 V, 28 V, SOT-23
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霍尔效应开关, 单极性, 175 G, 150 G, 3 V, 28 V, SOT-23