规格：输出电流峰值 360mA,
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双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
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芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
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MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360 mA输出, SOIC-8
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双路驱动器, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, DIP-8
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双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, DIP-8
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INTERNATIONAL RECTIFIER
芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, DIP-8
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INTERNATIONAL RECTIFIER
芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, DIP-8
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双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, DIP-8
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INTERNATIONAL RECTIFIER
芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, SOIC-8
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双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
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芯片, MOSFET/IGBT驱动器 半桥
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芯片, MOSFET驱动器, 半桥, SOIC-8
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芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC-8
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芯片, MOSFET驱动器 高边&低边
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芯片, 驱动器, MOSFET/IGBT, 半桥, SOIC-8
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