规格：漏源电压, Vds 400V,
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 125W, TO-262
(EN)
MICROCHIP
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 400 V, 17 ohm, 0 V
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 400 V, 550 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 400 V, 13.6 ohm, 10 V, 1.9 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 400 V, 270 mohm, 10 V, 5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 400 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 400 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 400 V, 550 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 450 mA, 400 V, 3.2 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 400 V, 0.43 ohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 400 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 400 V, 300 mohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 400 V, 550 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 25W, D-PAK
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 400 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 400 V, 0.5 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 400 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 400 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 400 V, 300 mohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 400 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 400 V, 0.5 ohm, 10 V, 3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 400 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
