规格：漏源电压, Vds 560V,
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.6 A, 560 V, 0.5 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 560 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 560 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 560 V, 110 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, N沟道
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
