规格：漏源电压, Vds -200V,
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -200 V, 0.178 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 3.8 A, -200 V, 0.86 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.8 A, -200 V, 2.06 ohm, -10 V, -5 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -35 mA, -200 V, 80 ohm, -10 V, -1.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.6 A, -200 V, 1.5 ohm, -10 V, -4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 3.5 A, -200 V, 1.5 ohm, -10 V, -4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -200 V, 3 ohm, -10 V, -4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -200 V, 500 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -200 V, 0.145 ohm, -10 V, -4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -200 V, 500 mohm, -10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -6.5 A, -200 V, 800 mohm, -10 V, 4 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -200 V, 3 ohm, -10 V, -4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -200 V, 500 mohm, -10 V, -4 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -200 V, 1.1 ohm, -10 V, -3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -6.5 A, -200 V, 0.8 ohm, -10 V, -4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 3.6 A, -200 V, 1.5 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, P沟道
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -200 V, 10 ohm, -10 V, -2.8 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -200 V, 500 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 4.3 A, -200 V, 800 mohm, -10 V, -4 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, 11.5 A, -200 V, 360 mohm, -10 V, -5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -5.7 A, -200 V, 0.54 ohm, -10 V, -5 V
(EN)
VISHAY
MOSFET, P CHANNEL, -200V, -3.6A, TO-252-3
(EN)
