KEMET
电容阵列, X7R介电质, 3300 pF, 200 V, X系列FT-CAP 阵列, ± 10%, SMD, 4元件
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射频电容, 39 pF, 50 V, HiQ-CBR 系列, ± 5%, 125 °C
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铝电解电容, 摁入式, 1000 μF, 160 V, ELG 系列, 2000 hours @ 105°C, ± 20%, 快速连接、卡入式
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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 0603 [1608 公制], 8200 pF, 50 V, ± 5%, U2J, U2J X系列FT-CAP
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膜电容, AEC-Q200 R82系列, 0.015 μF, ± 5%, PET(聚酯), 250 V
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多层陶瓷电容器, 表面贴装, FT-CAP, 0805 [2012 公制], 0.47 μF, 25 V, ± 10%, X7R, AEC-Q200 X系列FT-CAP VW80808
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多层陶瓷电容器, 表面贴装, FT-CAP, 0603 [1608 公制], 220 pF, 50 V, ± 10%, X7R, AEC-Q200 X系列FT-CAP VW80808
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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 1206 [3216 公制], 220 pF, 630 V, ± 5%, C0G / NP0, C 系列
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多层陶瓷电容, 10 pF, 50 V, Goldmax 300 系列, ± 5%, 径向引线, C0G / NP0
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多层陶瓷电容, 0.068 μF, 630 V, Goldmax 300 系列, ± 10%, 径向引线, X7R
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陶瓷电容, 10000pF, 200VDC, 5%
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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 0805 [2012 公制], 5600 pF, 250 V, ± 5%, C0G / NP0, C 系列
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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 0603 [1608 公制], 2200 pF, 25 V, ± 10%, X7R, AEC-Q200 Y系列FF-CAP
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电容阵列, AEC-Q200, 10000 pF, 200 V, AEC-Q200 X系列阵列, ± 10%, SMD, 4元件
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膜电容, AEC-Q200 LDE系列, 0.068 μF, ± 10%, PEN(聚邻苯二甲酸酯), 63 V, 1210 [3225公制]
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膜电容, R46系列, 0.33 μF, ± 20%, X2, 径向引线, 110 °C
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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 0603 [1608 公制], 10 pF, 25 V, ± 10%, C0G / NP0, C 系列
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电容器, 22 μF, 25 V, A758 系列, 径向引线, 0.05 ohm, 5000 hours @ 105°C
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电容器, 470 μF, 6.3 V, A765 系列, Radial Can - SMD, 0.016 ohm, 2000 hours @ 105°C
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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 1206 [3216 公制], 100 pF, 630 V, ± 5%, C0G / NP0, AEC-Q200 C 系列
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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 1206 [3216 公制], 0.047 μF, 200 V, ± 10%, X7R, AEC-Q200 J系列FO-CAP
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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 1210 [3225 公制], 0.01 μF, 630 V, ± 10%, X7R, C 系列
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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 1210 [3225 公制], 0.022 μF, 630 V, ± 10%, X7R, C 系列
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铝电解电容, 摁入式, 120 μF, 400 V, ELG 系列, 2000 hours @ 105°C, ± 20%, 快速连接、卡入式
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表面贴装钽电容, 6.8 μF, 25 V, T491 系列, ± 10%, 2312 [6032 公制]