产品分类：MOSFET驱动器,品牌：STMICROELECTRONICS,规格：工作温度最高值 125°C,
STMICROELECTRONICS
驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-16.6V电源, 高电压轨高达600V, SOIC-8
(EN)
STMICROELECTRONICS
驱动器, IGBT, MOSFET, 半桥, 11.5V-16.6V电源, 650mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
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STMICROELECTRONICS
芯片, 场效应管, MOSFET 驱动器, 半桥接器, SOIC-8
(EN)
STMICROELECTRONICS
双路功率控制器, 高压侧和低压侧, 10V-16.6V电源, 450mA输出, DIP-16
(EN)
STMICROELECTRONICS
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, -0.3V至17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, DIP-8
(EN)STMICROELECTRONICS
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, -0.3V至17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
(EN)
STMICROELECTRONICS
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 12.5V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-14
(EN)STMICROELECTRONICS
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-8
(EN)STMICROELECTRONICS
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 5.5V-17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
(EN)STMICROELECTRONICS
驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 125ns延迟, SOIC-8
(EN)
STMICROELECTRONICS
双功率芯片, 半桥+振荡器+DDTIM, 10V-16.6V电源, 270mA输出, SOIC-8
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双功率芯片, 半桥+振荡器, 10V-16.6V电源, 270mA输出, 延迟, SOIC-8
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驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 12.5V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-16
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驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧, 26V电源, 2.3A输出, 450ns延迟, SOIC-14
(EN)
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双功率芯片, 半桥, 10V-16.6V电源, 270mA输出, DIP-8
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双功率芯片, 半桥+振荡器+DDTIM, 半桥, 10V-16.6V电源, 270mA输出, DIP-8
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STMICROELECTRONICS
双路功率控制器, 高压侧和低压侧, 10V-16.6V电源, 450mA输出, SOIC-16
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驱动器, MOSFET, 高压侧, 10.5V-45V电源, 700mA输出, 75μs延迟, SOIC-36
(EN)STMICROELECTRONICS
双功率芯片, 半桥, 10V-16.6V电源, 270mA输出, DIP-8
(EN)STMICROELECTRONICS
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.6V-17V电源, 650mA输出, 160ns延迟, SOIC-8
(EN)STMICROELECTRONICS
驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-16.6V电源, 高电压轨高达600V, SOIC-8
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驱动器, IGBT, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-14
(EN)STMICROELECTRONICS
驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-16.6V电源, 高电压轨高达600V, SOIC-8
(EN)STMICROELECTRONICS
双路功率控制器, 高压侧和低压侧, 10V-16.6V电源, 450mA输出, SOIC-16
(EN)STMICROELECTRONICS
驱动器, MOSFET, 4V-5.5V电源, 1.5A输出, 抑制消隐时间 700ns, SOIC-8
(EN)
