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• IXZ308N120
  
• 1347739

• IXYS RF

  晶体管, 射频FET, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375

  (EN)
  产品分类：射频场效应管(FET)晶体管,规格：漏源电压, Vds 1.2kV,
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• GA20SICP12-263
  
• 2362870

• GENESIC SEMICONDUCTOR

  合成包, 碳化硅结晶体管/肖特基二极管, 1.2KV, TO-263

  (EN)
  产品分类：射频场效应管(FET)晶体管,规格：漏源电压, Vds 1.2kV,
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• IXZR08N120A
  
• 1347745

• IXYS RF

  晶体管, 射频FET, 1.2 kV, 8 A, 250 W, ISOPLUS247

  (EN)
  产品分类：射频场效应管(FET)晶体管,规格：漏源电压, Vds 1.2kV,
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• GA100SICP12-227
  
• 2362868

• GENESIC SEMICONDUCTOR

  合成包, 碳化硅结晶体管/肖特基二极管, 1.2KV, TO-227

  (EN)
  产品分类：射频场效应管(FET)晶体管,规格：漏源电压, Vds 1.2kV,
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