以下产品搜索结果

• 制造商产品编号
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• 制造商 / 说明 / 规格书
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• SI1013R-T1-GE3
  
• 2335267

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -350 mA, -20 V, 0.8 ohm, -1.8 V, -450 mV

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 -1.8V,
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• SI1013R-T1-GE3
  
• 2479859

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P通道, -20V, -350MA, SOT-416-3

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 -1.8V,
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• SI6423DQ-T1-GE3
  
• 2335338

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.2 A, -12 V, 0.0068 ohm, -1.8 V, -800 mV

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 -1.8V,
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• SIB433EDK-T1-GE3
  
• 2335393

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -9 A, -20 V, 0.085 ohm, -1.8 V, -400 mV

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 -1.8V,
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• SI4465ADY-T1-GE3
  
• 1871908

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, 13.7A, SOIC

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 -1.8V,
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• SI3493BDV-T1-E3
  
• 2459411

• VISHAY

  MOSFET, P CHANNEL, -20V, -8A, TSOP-6

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 -1.8V,
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• SI3493BDV-T1-E3
  
• 2335297

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -20 V, 0.023 ohm, -1.8 V, -900 mV

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 -1.8V,
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• SIB433EDK-T1-GE3
  
• 2459392

• VISHAY

  MOSFET, P CHANNEL, -20V, -9A, POWERPAK SC75-6

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 -1.8V,
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• SI1417EDH-T1-E3
  
• 2335279

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.7 A, -12 V, 0.07 ohm, -1.8 V, -450 mV

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 -1.8V,
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• SI6423DQ-T1-GE3
  
• 2459426

• VISHAY

  MOSFET, P CHANNEL, -12V, -8.2A, TSSOP-8

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 -1.8V,
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• SI6467BDQ-T1-E3
  
• 2335340

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -6.8 A, -12 V, 0.016 ohm, -1.8 V, 450 mV

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 -1.8V,
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• SI8415DB-T1-E1
  
• 2335382

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -12 V, 0.031 ohm, -1.8 V, -1 V

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 -1.8V,
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