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• SI2337DS-T1-GE3.
  
• 1837398

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -80V, 2.2A TO-236

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 -6V,
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• SI1411DH-T1-E3
  
• 2335278

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -420 mA, -150 V, 2.05 ohm, -6 V, -4.5 V

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 -6V,
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• SI7119DN-T1-GE3.
  
• 1871369

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 3.8A, POWERPAK

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 -6V,
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• SI2337DS-T1-E3.
  
• 1792186

• VISHAY

  晶体管, P沟道

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 -6V,
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• SI2327DS-T1-E3
  
• 2335288

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -380 mA, -200 V, 1.96 ohm, -6 V, -4.5 V

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 -6V,
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• SI2327DS-T1-GE3
  
• 1871346

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 490mA, TO-236

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 -6V,
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