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• SI2337DS-T1-GE3.
  
• 1837398

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -80V, 2.2A TO-236

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：在电阻RDS（上） 0.216ohm,
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• SI2337DS-T1-GE3
  
• 2101437

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -80 V, 0.216 ohm, -10 V, -4 V

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：在电阻RDS（上） 0.216ohm,
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• SI1304BDL-T1-E3
  
• 2101433

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 30 V, 0.216 ohm, 4.5 V, 1.3 V

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：在电阻RDS（上） 0.216ohm,
• 搜索

• SI2337DS-T1-E3.
  
• 1792186

• VISHAY

  晶体管, P沟道

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：在电阻RDS（上） 0.216ohm,
• 搜索

• SI1304BDL-T1-E3.
  
• 1690149

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 900mA, SC-70

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：在电阻RDS（上） 0.216ohm,
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