产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：阈值电压 Vgs -,
MICROCHIP
MOSFET, N CHANNEL, 90V, 0.36A, TO-243AA-3
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 mA, 8 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 8 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -7.6 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 30 V, 2.9 ohm, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 20 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 12 V
(EN)
MICROCHIP
MOSFET, N CHANNEL, 500V, 0.013A, TO-236AB-3
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 100 V, 0.102 ohm, 10 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 32.1 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 40 V, 0.021 ohm, 10 V
(EN)
MICROCHIP
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 400 V, 17 ohm, 0 V
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 3 A, -30 V, 98 mohm, -10 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -30 V, 0.033 ohm, -10 V
(EN)
RENESAS
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 13 mohm, 10 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -90 A, -40 V, 0.0075 ohm, -10 V
(EN)
RENESAS
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.3 A, -30 V, 0.054 ohm, -10 V
(EN)MICROCHIP
晶体管, MOSFET, N沟道, 72 mA, 350 V, 35 ohm, 0 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 80 V, 0.077 ohm, 10 V
(EN)RENESAS
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.1 A, -20 V, 0.142 ohm, -4.5 V
(EN)RENESAS
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.8 A, -60 V, 0.158 ohm, -10 V
(EN)RENESAS
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.8 A, -30 V, 0.195 ohm, -4.5 V
(EN)
MICROCHIP
晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 350 V, 10 ohm, 0 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.9 A, -150 V, 0.262 ohm, -10 V
(EN)
