产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以上),规格：功耗 Pd 34W,
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.144 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 650 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 650 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26.7 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 15A, TO-220F
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.113 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.089 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.445 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
