以下产品搜索结果

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• SIHG30N60E-GE3
  
• 2364082

• VISHAY

  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 2 V

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以上),规格：在电阻RDS（上） 0.104ohm,
• 搜索

• SIHF30N60E-GE3
  
• 2364079

• VISHAY

  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 2 V

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以上),规格：在电阻RDS（上） 0.104ohm,
• 搜索

• SIHG30N60E-GE3
  
• 2311561

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 29A, TO-247AC-3

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以上),规格：在电阻RDS（上） 0.104ohm,
• 查看其他仓库

• SIHP30N60E-GE3
  
• 2364087

• VISHAY

  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 2 V

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以上),规格：在电阻RDS（上） 0.104ohm,
• 搜索

• SIHB30N60E-GE3
  
• 2079779

• VISHAY

  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 2 V

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以上),规格：在电阻RDS（上） 0.104ohm,
• 查看其他仓库

• SIHF30N60E-E3
  
• 2079777

• VISHAY

  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 2 V

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以上),规格：在电阻RDS（上） 0.104ohm,
• 查看其他仓库

• SIHP30N60E-GE3.
  
• 2311566

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 29A, TO-220AB-3

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以上),规格：在电阻RDS（上） 0.104ohm,
• 查看其他仓库

• SIHW30N60E-GE3
  
• 2311568

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 29A, TO-247AD-3

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以上),规格：在电阻RDS（上） 0.104ohm,
• 查看其他仓库