产品分类：IGBT阵列和模块,规格：工作温度最高值 150°C,
POWEREX
晶体管, IGBT模块, 600W, Vceo:600V, 200A, 600V
(EN)
VISHAY
晶体管, IGBT, 200A
(EN)
VISHAY
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 1.6 V, 500 W, 600 V, ISOTOP
(EN)
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 300 A, 2.45 V, 1 kW, 600 V, Module
(EN)
POWEREX
模块, 晶体管, IGBT, 1200V, 400A, IGBTMOD
(EN)
POWEREX
晶体管模块, IGBT, 600A
(EN)
VISHAY
绝缘金属物质功率模块
(EN)
VISHAY
绝缘金属物质功率模块
(EN)
VISHAY
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 1.92 V, 500 W, 600 V, SOT-227
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 54 A, 1.85 V, 215 W, 1.2 kV, Module
(EN)
POWEREX
晶体管模块, IGBT, 200A
(EN)
VISHAY
晶体管, IGBT阵列&模块, HEXFRED, N沟道, 27 A, 1.6 V, 63 W, 600 V, SIP
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 22 A, 1.55 V, 65 W, 600 V, Module
(EN)
POWEREX
模块, 晶体管, IGBT, 1.2KV, 100A
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 400 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.45 V, 275 W, 600 V, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 130 A, 2.1 V, 600 V, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 22 A, 1.55 V, 81 W, 600 V, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 27 A, 1.55 V, 94 W, 600 V, Module
(EN)POWEREX
模块, 晶体管, IGBT, 1.2KV, 150A
(EN)SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 200 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 28 A, 1.85 V, 130 W, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 65 A, 1.85 V, 225 W, 1.2 kV, Module
(EN)
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 2.3 V, 735 W, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 39 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module
(EN)
